由公式（1）、（2）、（3）可计算样品的晶格常数C和晶粒尺寸D，其中d为晶面间隔；？兹为对应d的布拉格衍射角；n是整数；？姿（0.154056nm）则是入射X射线的波长，ZnO的（002）晶面，h=k=0，l=2可得c=2d，进而可算出c轴的晶格常数，k为谢乐常数，？姿为波长， ？茁hkl为衍射峰半高宽（FWHM），？兹为衍射角。
表1与表2分别给出了不同热氧化温度下样品晶格常数与晶粒大小的计算结果，可见不同热氧化温度下样品的晶格常数几乎没有改变，而在热氧化温度为650℃时，样品的半峰宽最小、样品的结晶质量最好。
3.2 Al-N共掺杂 ZnO：Co薄膜的吸收光谱分析
图2 （a）为在石英玻璃衬底上生长的Al-N共掺杂 ZnO：Co薄膜的吸收谱，可见紫外吸收边随着热氧化温度的升高先发生550℃的移动后发生650℃的移动，表明光学带隙先减小后增大。
根据吸收系数？琢与光子能量h？淄的关系式[14]：
？琢h？淄=A（h？淄-Eg）1/2 （4）
式中：？琢为吸收系数，h？淄为入射光子能量，h为普朗克常数，v为入射光的频率，A为比例常数，Eg为带隙，通过外延（？琢h？淄）2-h？淄曲线的直线部分取（？琢h？淄）2=0即可得到薄膜的Eg。
表3给出了不同热氧化温度下样品的光学带隙。可以看出，随热氧化温度的增加，薄膜样品的光学带隙先减小后增大，这是由于过高的热氧化温度促使样品中的N3-继续被活性更强的O2-所替代导致Al-N的结合变弱，吸收边再次650℃的移动，带隙继续增大。
3.3 Al-N共掺杂 ZnO：Co薄膜的磁性分析
图3为不同热氧化温度的Al-N共掺杂 ZnO：Co薄膜在300K下测得的磁滞回线 ，为了消除衬底的影响，衬底的抗磁信号[15]已从原始数据中扣除。从图3中可以看到不同热氧化温度得到的Al-N共掺杂 ZnO：Co薄膜样品具有明显的磁滞效应，证明样品具有室温铁磁性。且随着热氧化温度的升高，样品的饱和磁化强度先减小后增大。
大量的研究表明，过渡金属掺杂ZnO的磁性来源可能是存在磁性离子团簇或具有磁性的第二相，对于Co掺杂ZnO薄膜，可能产生的杂质相物质有Co、CoO、Co2O3、Co3O4，而由前面XRD的分析结果我们知道，样品具有良好的C轴择优取向，并无磁性第二相杂质或Co单质团簇，且ZnO是抗磁性的；CoO是反铁磁性的，其TN为291K，Co2O3和Co3O4都是顺磁的[16-17]，虽然Co是铁磁性的，但其TN为1373K；所以薄膜磁性不可能是由这些物质引起的。从而排除了磁性团簇导致铁磁性的可能。
Belghazi[18]等人采用实验及理论计算的方法分析表明，Al含量的增加虽然会导致薄膜中载流子浓度增加，但是并没有对磁性产生影响，他们认为Al的掺杂仅仅是改变薄膜的传导类型；Liu[19]等人用第一性原理计算也证明在Co、Al共掺ZnO中，Al施主的存在仅仅能提供额外的电子，使费米能级提高，而不能诱导出铁磁性；所以Al的掺杂和其浓度对Al-N共掺杂 ZnO：Co薄膜的铁磁性无关。